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薄膜铌酸锂高速调制器芯片

800G高速调制器芯片
1.6T/3.2T高速调制器芯片
产品介绍
核心指标
核心优势
产品型号
应用场景
产品介绍
图灵量子薄膜铌酸锂高速调制器8*100G芯片,应用于800G DR8光模块,是AI智算中心低功耗、大容量数据传输的理想解决方案。
核心指标
工作温度范围
-15℃-75℃
波长范围可覆盖
O波段
单通道速率
最高可达100Gbps
支持
8通道,或定制通道数量
核心优势
低功耗
低功耗
8通道仅需一颗外置光源
输入输出功率监控
输入输出功率监控
片上集成9个MPD
高集成度
高集成度
片上集成1:8分束器
产品型号

TQCMS08P-G10-V1(100Gx8 channel)

薄膜铌酸锂高速调制器芯片 - 产品型号 - 02产品型号
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应用场景
800G高速调制器芯片
800G高速调制器芯片应用于800G DR8 光模块场景,满足数据中心800G需求。
800G高速调制器芯片应用于800G DR8 光模块场景,满足数据中心800G需求。
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