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薄膜铌酸锂(LNOI)光子芯片技术

开启光子芯片产业新时代

技术介绍
核心优势
工艺指标
代表性成果
代表性产品
技术介绍
铌酸锂是一种综合性能优异的多功能晶体材料,具有宽透明窗口、折射率适中、线性电光系数大、温度稳定性好等特点。随着2014年铌酸锂薄膜晶元的产业化,具有优良光学特性的铌酸锂在薄膜化后,为集成光学提供了一个全新平台——LNOI。LNOI材料在传统铌酸锂晶体特性的基础上,进一步实现了更高的光束缚能力、调制效率与集成密度,
图灵量子基于新一代光学材料薄膜铌酸锂,图灵量子深耕光子芯片设计、流片、封装、测试到系统集成和量子算法全链条研发,开发CMOS工艺兼容的薄膜铌酸锂(LNOI)光子芯片技术,打开光子芯片新时代。
核心优势
规模生产
规模生产
CMOS工艺兼容,可以实现规模化生产
全链条能力
全链条能力
拥有光子芯片设计到生产全链条研发能力,快速迭代
工艺成熟
工艺成熟
拥有CMOS工艺设备全链条生产能力,芯片核心工艺成熟
自主可控
自主可控
依托国内首条光子芯片中试线,全流程自主可控,避免卡脖子难题
工艺指标
芯片架构层数
>10
半波电压
< 2V*cm
消光比
>30dB
波导传输损耗
< 0.1dB/cm
电光调制带宽
> 100GHz
量子光源通道数
>128
线性度
>100dB*Hz(2/3)
波导品质因数(Q值)
>500000
可编程线性光子矩阵规模
160 x 160
代表性成果
面向光计算的光电共封装——人工智能时代的快速解决方案
光电共芯封装作为一种新型的光电子集成技术,将光芯片与点芯片封装在一起,不仅能够减少尺寸,提高计算效率,还可以降低功耗。当前,大模型训练现象级应用的涌现和爆发加速了 AI 产业的进程,AI 的高速发展增加了对更高算力的需求,也大幅提升了能耗和成本,光电共芯封装技术为满足 AI 产业的低功耗、低成本、高能效等需求提供了新的解决方案。图灵量子近年来,一直致力于突破光电共封装核心技术难题,结合铌酸锂薄膜光子芯片核心技术,目前已经形成多款共封装形态产品和技术方案。
核心优势
集成光子芯片技术:面向光计算的光电共封装
适合量产的片内光引线键合
异质混合3D堆叠封装
低时延光学算子:49*49光学矩阵
支持瓦片式规模扩展
代表性产品
片上光量子计算平台
详情
薄膜铌酸锂调制器组件
详情
薄膜铌酸锂高速调制器芯片
详情
窄线宽可调谐激光器组件
详情
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联系电话+86 021-54152588
联系邮箱contact@turingq.com
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